當影響電磁屏蔽機房屏蔽數(shù)據(jù)效果的因素頻率較高時，吸收損失是主要的屏蔽機理，與輻射源是電場還是磁場關系不大。當頻率較低時，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效率的主要機理，應盡量提高反射損耗。

電場波較易屏蔽，平面波次之，磁場波較難屏蔽，尤其是低頻磁場(1KHz以下)，較難屏蔽。對于低頻磁場，應采用高導磁率數(shù)據(jù)進行屏蔽。有幾個條件會影響屏蔽數(shù)據(jù)的效果，甚至高導電性數(shù)據(jù)和高導磁性數(shù)據(jù)的結合。

導電性和導磁性數(shù)據(jù)越好，屏蔽效率越高，但金屬數(shù)據(jù)在實際應用中不能考慮這兩個方面，例如銅的導電性很好，但導磁性很差;鐵的導磁性好，但導電性差。在詳細屏蔽的基礎上，應該使用什么信息，主要取決于反射損失還是吸收損失來決定是側重于導電性還是導磁性。

反射損耗與屏蔽層與輻射源之間的距離有關。對于電場輻射源，距離越近，反射損耗越大;對于磁輻射源，距離越近，反射損耗越小。正確辨別輻射源的性質，確定輻射源應靠近屏蔽層是結構設計的重要內容，屏蔽層仍是屏蔽層的主體。

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